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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field

General Description The AO8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by it

AOSMD

万国半导体

INSULATED PC SPACERS/SUPPORTS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

50V, 2A BOOST LED DRIVER

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DIODES

美台半导体

High PSRR, 250mA CMOS LDO

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AME

安茂微电子

更新时间:2025-12-28 23:00:01
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