位置:首页 > IC中文资料 > HBE681

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HBE681

Ceramic High Voltage Disc Capacitors, Class 2

文件:269.18 Kbytes Page:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Ceramic High Voltage Disc Capacitors, Class 2

文件:259.839 Kbytes Page:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

牛角型电解电容

ZEASSET

智胜新电子

封装/外壳:径向,圆片式 包装:卷带(TR) 描述:CAP CER 680PF 2KV RADIAL 电容器 陶瓷电容器

DRALORIC

封装/外壳:径向,圆片式 包装:卷带(TR) 描述:CAP CER 680PF 2KV RADIAL 电容器 陶瓷电容器

DRALORIC

FAST RECOVERY DIODE

FAST RECOVERY DIODE FOR IGBT, IEGT, GCT APPLICATIONS SNUBBERLESS OPERATION LOW LOSSES SOFT RECOVERY Repetitive voltage up to 4500 V Mean forward current 1145 A Surge current 25 kA

POSEICO

PHASE CONTROL THYRISTOR

PHASE CONTROL THYRISTOR Repetitive voltage up to 6000 V Mean on-state current 840 A Surge current 10 kA

POSEICO

Medium Power Linear and Switching Applications

Medium Power Linear and Switching Applications • Medium Power Darlington TR • Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively

FAIRCHILD

仙童半导体

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line

STMICROELECTRONICS

意法半导体

CATV amplifier module

DESCRIPTION Hybrid high dynamic range amplifier module designed for CATV systems operating over a frequency range of 40 to 600 MHz operating with a voltage supply of 24 V (DC). FEATURES • Excellent linearity • Extremely low noise • Silicon nitride passivation • Rugged construction • Gold me

PHILIPS

飞利浦

HBE681产品属性

  • 类型

    描述

  • 精度:

    ±20%

  • 额定电压:

    450V

  • 电容体直径:

    35mm

  • 电容体长度:

    50mm

  • 脚间距:

    10mm

  • 纹波电流:

    2.32A@120Hz

  • 工作寿命:

    3000hrs@105℃

  • 工作温度:

    -25℃~+105℃

更新时间:2026-8-2 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
26+
N/A
80000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

HBE681数据表相关新闻

  • HBM战局打响;半导体项目新进展;MWC 2024回顾

    近期,HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄......详情请点击《两家存储大厂:今年HBM售罄》。与此同时,HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。

    2024-3-4
  • HB6206A33M3G

    HB6206A33M3G

    2023-1-2
  • HBN2444S6R CYSTECH

    www.hfxcom.com

    2021-12-20
  • HAT2165H-EL-E

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LFPAK-5 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 商标: Renesas Electronics 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 单位重量: 80 mg

    2020-8-11
  • HBT有源偏置增益块SBB3089Z原装现货

    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

    2019-12-3
  • HB1-DC24V

    HB1-DC24V,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-12