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500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.108 Ω typ. (at ID = 25 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching • Built-in fast recovery diode • Quality grade: Standard

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瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Power MOSFETs

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500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5016产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H5N5016

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-12-31 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
15638
原装现货,当天可交货,原型号开票
BOTHHAND
1736+
DIP
15238
原厂优势渠道
ST
25+
TO-3P
16900
原装,请咨询
RENESAS
25+
TO-3PL
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
H5PNM
25+
2
2
HYNIX
25+
BGA
15000
全新原装现货,价格优势
HYNIX
25+
DDR2 1GB
6000
原厂原装,价格优势
HYNIX
2450+
BGA
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
HYNIX
25+
BGA
92
主营内存芯片 全新原装正品
ST
26+
TO-3P
60000
只有原装 可配单

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