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H5N5005PL-E0-E

500V-60A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.070Ωtyp.(atID=30A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching •Lowgatecharge •Avalancheratings •Built-infastrecoverydiode •Qualitygrade:Standard

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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500V-60A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

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更新时间:2024-6-1 18:33:00
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