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H5N5004PL-E0-E

500V-50A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.09Ωtyp.(atID=25A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching •Lowgatecharge •Avalancheratings •Built-infastrecoverydiode:trr=190nstyp •Qualitygrade:Standard

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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500V-50A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

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更新时间:2024-10-31 20:00:00
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