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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
更新时间：2024-6-4 10:32:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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英飞凌 |
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