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H30R1103中文资料

厂家型号

H30R1103

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2050.32Kbytes

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15

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

数据手册

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生产厂商

INFINEON

H30R1103数据手册规格书PDF详情

Features:

•Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage

designedforsoftcommutationonly

•Verytightparameterdistribution

•Highruggedness,temperaturestablebehavior

•LowVCEsat

•Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature

coefficientinVCEsat

•LowEMI

•QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications

•Pb-freeleadplating;RoHScompliant

•CompleteproductspectrumandPSpiceModels:

http://www.infineon.com/igbt/

更新时间:2025-10-11 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
22+
TO-247
8000
终端可免费供样,支持BOM配单
INFINEON
23+
TO-247
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
TO-247
7000
INFINEON
24+
TO-247
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
Infineon(英飞凌)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON/英飞凌
25+
TO-247
860000
明嘉莱只做原装正品现货