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GTVA261802FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz

Description The GTVA261802FC is a 170-watt GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT techn

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GTVA261802FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz

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Cree

科锐

GTVA261802FC-V1-R2

封装/外壳:H-37248C-4 包装:带 描述:180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-11-21 11:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/A
23+
SMD
23115
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
端子
2021+
10000
只做原装,可提供样品
SOSHIN
23+
SMD-10
88000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
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75000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
SOSHIN
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
SOSHIN
24+
DIP-5
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
UNIDUXHONGKONGLTD
24+
SMD
49000
SOSHIN
05+
SMD
1000
原厂原装仓库现货,欢迎咨询
Wolfspeed Inc.
25+
H-37248C-4
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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    GT50GR22 ,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道

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