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GTVA261802FC-V1-R2

Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT170W,48V,2620–2690MHz

Description TheGTVA261802FCisa170-wattGaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpoweramplifier applications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,anda thermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEMTtechn

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GTVA261802FC-V1-R2

Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT170W,48V,2620??2690MHz

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree
GTVA261802FC-V1-R2

封装/外壳:H-37248C-4 包装:带 描述:180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2024-6-19 16:41:00
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