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GTVA261701FA-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz

Description The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT

WOLFSPEED

GTVA261701FA-V1-R0

包装:带 描述:GAN SIC 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-10-30 18:09:00
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