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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS ● Fourth generation IGBT ● FRD included between emitter and collector ● Enhancement mode type ● High speed IGBT : tf = 0.25μs (TYP.) FRD : trr = 0.7μs (TYP.) ● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.)

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

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Discrete IGBTs

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更新时间:2025-12-23 16:31:01
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