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GT60M303

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS ● Fourth generation IGBT ● FRD included between emitter and collector ● Enhancement mode type ● High speed IGBT : tf = 0.25μs (TYP.) FRD : trr = 0.7μs (TYP.) ● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.)

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GT60M303

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT60M303

IGBT for soft switching applications

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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

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Discrete IGBTs

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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

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GT60M303产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT60M303

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 900V 60A 3PIN TO-3P(LH) - Rail/Tube

更新时间:2025-11-26 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
20000
原装现货
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1520
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20+
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25+
管3PL
18000
原厂直接发货进口原装
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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原装进口公司现货假一赔百
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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