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Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

Features 1. 6.5th generation 2. The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip. 3. Enhancement mode 4. High-speed switching IGBT : tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 40 A) FWD : trr= 0.60 µs (typ.) (IF = 15 A) 5. Low saturation voltage : VC

TOSHIBA

东芝

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

Features 1. 6.5th generation 2. The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip. 3. Enhancement mode 4. High-speed switching IGBT : tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 40 A) FWD : trr= 0.60 µs (typ.) (IF = 15 A) 5. Low saturation voltage : VC

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-7 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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    GT24C1024-2GLI,全新原装.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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