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GT40QR21

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

Features 1. 6.5th generation 2. The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip. 3. Enhancement mode 4. High-speed switching IGBT : tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 40 A) FWD : trr= 0.60 µs (typ.) (IF = 15 A) 5. Low saturation voltage : VC

TOSHIBA

东芝

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN( 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

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Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

Features 1. 6.5th generation 2. The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip. 3. Enhancement mode 4. High-speed switching IGBT : tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 40 A) FWD : trr= 0.60 µs (typ.) (IF = 15 A) 5. Low saturation voltage : VC

TOSHIBA

东芝

GT40QR21产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT40QR21

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

更新时间:2025-8-9 17:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
11+
TO3P
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA(东芝)
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保证进口原装可开17%增值税发票
TOSHIBA/东芝
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
TOSHIBA
5

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    原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道

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    GST5009MLF ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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