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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HighPowerSwitchingApplicationsFastSwitchingApplications HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.04μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=0.40mJ(typ.) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   | |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications 文件：197.12 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications 文件：197.12 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
GT20J321(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT20J321(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 20A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-220NIS |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
30000 |
原装现货 |
||||
toshiba |
21+ |
to220 |
210 |
原装现货假一赔十 |
|||
toshiba |
1114+ |
to220 |
128 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
MT |
23+ |
TSSOP |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
2020+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
TOS |
1822+ |
TO-220NI |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TOSHIBA |
23+ |
TO-220 |
3000 |
全新原装 |
|||
TOSHIBA |
20+ |
TO-220 |
3800 |
全新原装现货欢迎来询 |
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2019-3-21
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