型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GSS9926E

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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GTM

勤益投资控股

GSS9926E

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

GTM

勤益投资控股

Power switching application

Description The 9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply

GOFORD

谷峰半导体

Dual N-Channel MOSFET

Features 6A, 20 V. rDS(on) = 0.030 @ VGS = 4.5 V 5.2A, 20 V rDS(on) = 0.040 @ VGS = 2.5 V.

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

6A竊?0V Dual N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

GSS9926E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GSS9926E

  • 制造商

    GTM

  • 制造商全称

    GTM

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

更新时间:2025-12-28 20:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOODSKY国兴
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