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GS9926

Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A)

ETC

知名厂家

MOSFET - Dual N Channel

ETC

知名厂家

Power switching application

Description The 9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply

GOFORD

谷峰半导体

Dual N-Channel MOSFET

Features 6A, 20 V. rDS(on) = 0.030 @ VGS = 4.5 V 5.2A, 20 V rDS(on) = 0.040 @ VGS = 2.5 V.

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

6A竊?0V Dual N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件:117.54 Kbytes Page:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-28 10:07:00
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