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GS4606

Complementary High Density Trench MOSFET

ETC

知名厂家

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

Complementary High Density Trench MOSFET

文件:317.57 Kbytes Page:7 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.22669 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Binary reduction valve

文件:99.4 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

更新时间:2025-10-19 16:20:00
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