| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired | UMW 友台半导体 |   | ||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 40N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
Fast Switching 文件：68.1 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.86 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
38A竊?0V N-CHANNEL MOSFET 文件：196.75 Kbytes Page：5 Pages | KIA 可易亚半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020-6-18GP60S50X
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2019-3-13
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