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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low

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AOSMD

万国半导体

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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更新时间:2025-12-25 23:01:01
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