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IRGS30B60K中文资料

厂家型号

IRGS30B60K

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13

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

IRF

IRGS30B60K数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

IRGS30B60K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGS30B60K

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

更新时间:2025-10-6 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-263
588
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
17+
D2-Pak
31518
原装正品 可含税交易
IR
04+
原厂原装
2000
全新原装 绝对有货
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25+
TO-263
200
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR/VISHAY
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
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0512+
TO263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

IRGS30B60KTRRP 价格

参考价格:¥13.1986

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