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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low

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AOSMD

万国半导体

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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更新时间:2025-12-26 9:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
International Rectifier
2022+
1525
全新原装 货期两周
IR
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
2022+
TO-220AB
8000
只做原装支持实单,有单必成。
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
Infineon(英飞凌)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
IR
24+
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