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GP1601FSS18

SingleSwitchLowVCE(SAT)IGBTModule

ThePowerlinerangeofhighpowermodulesincludesdualandsingleswitchconfigurationscoveringvoltagesfrom600Vto3300Vandcurrentsupto4800A. TheGP800FSS18isasingleswitch1800V,nchannelenhancementmode,insulatedgatebipolartransistor(IGBT)module.TheIGBThasawidereverse

Dynex

Dynex Semiconductor

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GP1601FSS18产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GP1601FSS18

  • 制造商

    DYNEX

  • 制造商全称

    Dynex Semiconductor

  • 功能描述

    Single Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

更新时间:2025-6-6 16:52:00
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