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GP100N30

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·Battery chargers ·DC choppers ·Low voltage relays

ISC

无锡固电

90 A - 330 V - fast IGBT

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意法半导体

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-9-22 18:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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