| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GP100N30 | 90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·Battery chargers ·DC choppers ·Low voltage relays | ISC 无锡固电 | | ||
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：225.12 Kbytes Page：7 Pages | RECTRON 丽正国际 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-1-11
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