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Silicon N-Channel Power MOSFET

Features: - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data: 14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:3.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test

HUAJING-MICRO

华润微电子

更新时间:2025-12-27 23:01:01
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