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HEXFETPOWERMOSFET

DESCRIPTION AstheSMPSMOSFET,theUTC22N60usesUTC’sadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)=0.35Ω *UltraLowGateCharge

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=165mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

22A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:211.84 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-ChannelMOSFET

文件:986.23 Kbytes Page:2 Pages

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

Estek Electronics Co. Ltd

ESTEK

N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W

文件:532.87 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2024-5-16 19:09:01
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

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