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GE12047BCA3

1200V Dual Silicon Carbide Power module

Features •Highly reliable GE SiC MOSFET devices •Low R DS(ON) (3.1 mΩ) (device only) •Low stray inductance (1 nH ) •SiC die qualified to +200 C •Ultra low switching losses over entire operating range •Body diode with minimal reverse recovery •Integrated temperature sensing •Dedicated DES

GEC

通用电气

更新时间:2025-11-23 14:32:00
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