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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low

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AOSMD

万国半导体

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万国半导体

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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更新时间:2025-12-23 16:42:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
TO-220-3
19850
原装正品,假一赔十
INFINEON
24+
TO-220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
IR
24+
TO-220-3
79
INFINEON/英飞凌
2022+
TO-220AB
8000
只做原装支持实单,有单必成。
Infineon Technologies
25+
TO-220-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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23+
TO-220
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受权代理!全新原装现货特价热卖!
INFINEON TECHNOLOGIES AG
25+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
2447
SMD
100500
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