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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GAN041-650WSB | 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package 1. General description The GAN041-650WSB is a 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. | NEXPERIA 安世 |   | |
GAN041-650WSB | 650 V、35 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用TO-247封装 | NEXPERIA 安世 | |
更新时间：2025-11-4 10:46:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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