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Electrical Characteristics of IGBT

General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. FGL60N170D is designed for the Induction Heating applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 5.0 V @ IC = 60A • High Input Impedance

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-30 11:53:01
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