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ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A •HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2024-6-14 22:59:01
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