| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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G3S12010D | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
G3S12010D | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | |
G3S12010D | 1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | GPTG | | |
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode 文件：322.06 Kbytes Page：5 Pages | RECTRON 丽正国际 | | ||
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode 文件：572.8 Kbytes Page：5 Pages | RECTRON 丽正国际 | |
更新时间：2025-12-29 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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