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GaAs Infrared Light Emitting Diode

GaAs Infrared Light Emitting Diode For optical control systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 5 mW (typ.) ● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors : λP = 940 nm (typ.) ● Good radiant power output linearity with respect to input current ● Long lifet

PANASONIC

松下

EIGHT DARLINGTON ARRAYS

Description The ULQ2801A-ULQ2804A each contain eight Darlington transistors with common emitters and integral suppression diodes for inductive loads. Each Darlington features a peak load current rating of 600 mA (500 mA continuous) and can withstand at least 50 V in the off state. Outputs may be

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更新时间:2026-5-22 17:55:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
DIPSOP
19949
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