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G2301B

Gate Driver

SGKS

森国科

Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output

Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin

NTE

Reflective Photosensor

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PANASONIC

松下

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

G2301B产品属性

  • 类型

    描述

  • 驱动:

    3P+3N

  • 工作电压:

    7V~28V

  • 温度范围:

    -40~105℃

  • 开关速度:

    100ns

  • LDO输出:

    可输出5V或3.3V

  • 温度保护:

    160℃/140℃

  • 欠压:

  • 封装:

    ESOP16

  • 限流:

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    G2R-1-12V ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

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    概述 在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3(系列存根终止逻辑)的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

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