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G2225X7R225KT3AB

RF Power LDMOS Transistor

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

2--500 MHz, 600 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed primarily for wideband applications with frequencies up to 500 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in broadcast applications. • Typical DVB--T OFDM Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transis

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

更新时间:2025-9-24 17:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
24+
TSSOP14
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
GMT/致新
24+
TQFN5X5-32
6000
原装现货
TI
21+
TSSOP14
10000
只做原装,质量保证
TI/德州仪器
25+
SOP-8
880000
明嘉莱只做原装正品现货
UNKNOWN
23+
NA
4306
专做原装正品,假一罚百!
TI
23+
TSSOP14
12800
正规渠道,只有原装!
MEPCO/CENTRALAB
2015+
SMD/DIP
19889
一级代理原装现货,特价热卖!
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
TI
23+
TSSOP14
10000
原装正品,支持实单
N/A
23+
80000
专注配单,只做原装进口现货

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    G2R-1-12V ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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