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G20120CTW

萧特基 (Schottky)(.5A 和以上)

DIODES

美台半导体

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

万国半导体

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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PANJIT

強茂

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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PANJIT

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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更新时间:2026-1-1 15:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LITEON/光宝
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
LITEON
20+
TO220
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
LTTEON
14+;1441+
TO220
198
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
DIODES/美台
24+
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500000
美台原厂超低价支持
GOFORD
24+
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10000
查现货到京北通宇商城
NK/南科功率
2025+
DFN2*2-6L
986966
国产
LITEON/光宝
24+
TO220
60000
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
GMT
QFN
6688
15
现货库存
GMT
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货

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