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G20120CTW

萧特基 (Schottky)(.5A 和以上)

DIODES

美台半导体

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

万国半导体

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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PANJIT

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LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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更新时间:2025-10-18 22:59:00
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