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P-Channel Trench Power MOSFET

General Description The G18P03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Features High Power and current handing capability Surface Mount

GOFORD

谷峰半导体

G18P03H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    G18P03H

  • 制造商

    SOURIAU

  • 制造商

    Souriau Connection Technology

更新时间:2026-1-5 13:10:02
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