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G130N06S2

DUALN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG130N06S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD
更新时间:2025-7-20 11:06:00
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