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G10T60

LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology

Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor60

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

600V,10AN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

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更新时间:2024-4-28 19:00:00
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