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G085C03D32

N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G085C03D32 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G085C03D32

30/-30V N+P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

更新时间:2025-10-19 9:06:00
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