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G06P01E

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G06P01E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G06P01E

-12V P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

更新时间:2025-11-5 20:46:00
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