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G05N06S2

DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG05N06S2usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD
更新时间:2025-7-28 11:42:00
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