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FGH75T65UPD中文资料

厂家型号

FGH75T65UPD

文件大小

922.83Kbytes

页面数量

10

功能描述

650V, 75A Field Stop Trench IGBT

IGBT 晶体管 650V 150A 187W

数据手册

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生产厂商

Fairchild Semiconductor

简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

LOGO

FGH75T65UPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH75T65UPD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 650V 150A 187W

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-1 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
21+
TO-247
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FGH75T65UPD_F085 价格

参考价格:¥24.5946

型号:FGH75T65UPD_F085 品牌:Fairchild 备注:这里有FGH75T65UPD多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGH75T65UPD批发/采购报价,FGH75T65UPD行情走势销售排排榜,FGH75T65UPD报价。

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  • FESTO
  • FETEK

Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司

中文资料: 41473条

1955年,“晶体管之父”威廉·肖克利(WilliamBradfordShockley)离开比尔实验室,创建肖克利半导体实验室(ShockleySemiconductorLaboratory)。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快,肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职,他们是罗伯特·诺伊斯(RobertNoyce)、高登·摩尔(GordonMoore)、朱利亚斯·布兰克(JuliusBlank)、尤金·克莱尔(EugeneKleiner)、金·赫尔尼(JeanHoerni)、杰·拉斯特(JayLast)、谢尔顿·罗伯茨(SheldonRobe