HighSpeed 2-Technology

• Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

Electrical Features • Low Switching Losses • Low VCEsat • Unbeatable Robustness • VCEsat with positive Temperature Coefficient Mechanical Features • 4 kV AC 1min Insulation • Package with CTI > 400 • High Creepage and Clearance Distances • Isolated Base Plate • Standard Housing

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

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62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

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封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MOD 1200V 600A 3000W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

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封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 1200V 600A 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching

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62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten

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IGBT-modules

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62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode

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high insulated module

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IGBT-Module

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SCALE High Voltage IGBT Driver

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IGBT-modules

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