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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN high-voltage transistors

DESCRIPTION NPN transistors in a TO-126; SOT32 plastic package. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Intended for video output stages in black-and-white and in colour television receivers.

PHILIPS

飞利浦

HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Silicon Mesa Rectifiers

FEATURES • Glass passivated junction • Hermetically sealed package • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • High voltage rectification • Efficiency diode in horizontal deflection circuits

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES * 400 Volt VCEO * Ptot= 1 Watt COMPLEMENTARY TYPE – FCX558 PARTMARKING DETAIL – N58

ZETEX

N-Channel Silicon JFET General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier

Features: Very Low Noise Low Gate Current Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Gate–Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V Gate–Source Voltage, VGSO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE

FXT458S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FXT458S

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT -

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-8-3 16:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
45
恩XP
25+
TO-126
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
恩XP
24+
65230
STM
25+
SOT-223
32500
普通
恩XP
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
恩XP
22+
TO-126
6000
十年配单,只做原装
ST/意法
1310+PB
HTSSOP-B20
3200
全新、原装
ST/意法
25+
TO126
90000
全新原装现货
PH
24+
原厂封装
3050
原装现货假一罚十
ST/意法
23+
TO126
50000
全新原装正品现货,支持订货

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