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FX50KMJ-06-A8

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –60 V • rDS(ON) (max) : 18.9 mΩ • ID : –50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-1-29 17:53:00
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