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HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE •4VDRIVE •VDSS.............................................................–100V •rDS(ON)(MAX)................................................0.26Ω •ID....................................................................–20A •IntegratedFastRecovery

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

PchPOWERMOSFETHIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE •4VDRIVE •VDSS.............................................................–100V •rDS(ON)(MAX)................................................0.26Ω •ID....................................................................–20A •IntegratedFastRecovery

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

POWEREX

High-SpeedSwitchingUsePchPowerMOSFET

Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–100V •rDS(ON)(max):0.26Ω •ID:–20A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):100ns Applications Motorcontrol,Lampcontrol,Solenoidcontrol,DC-DCconverters,etc.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscP-ChannelMOSFETTransistor

文件:379.2 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-8-3 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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