| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26廓 , ID = 14A ) Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free | IRF |   | ||
12A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：194.75 Kbytes Page：5 Pages | UTC 友顺 | | ||
12A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：204.28 Kbytes Page：5 Pages | UTC 友顺 | | ||
SMPS MOSFET 文件：115.42 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
High frequency DC-DC converters 文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages | IRF | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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TO-252 |
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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FUSB251 Type-C?CC和SBU保护IC 安森美半导体的FUSB251在上电复位后关闭CC和SBU开关，并提供有效的VDD电源
2019-8-22
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