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FSV20120V

Ultra-Low VF Schottky Rectifier, 20 A, 120 V

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ONSEMI

安森美半导体

FSV20120V

封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO277-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

FSV20120V

20 A,120 V 超低 VF 肖特基整流器

ONSEMI

安森美半导体

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

万国半导体

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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PANJIT

強茂

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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PANJIT

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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更新时间:2025-11-3 18:11:00
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