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位置：首页 > IC中文资料第739页 > FSEZ1216N

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FSEZ1216NY

Primary-Side-Regulation PWM Integrated Power MOSFET

Description The primary-side PWM integrated Power MOSFET, FSEZ1216, significantly simplifies power supply design that requires CV and CC regulation capabilities. FSEZ1216 controls the output voltage and current precisely only with the information in the primary side of the power supply, not only

Fairchild

仙童半导体

FSEZ1216NY

Primary-Side-Regulation PWM Integrated Power MOSFET

文件：825.95 Kbytes Page：16 Pages

Fairchild

仙童半导体

1216

Multi-channel data acquisition

Up to 16 unipolar analog input channels Up to 12-bit resolution with 0.5 accuracy Up to 4 software configurable digital output lines Up to 1 MS/s sample rate USB connected and powered Complete with ready-to-go data logging software Includes API and examples for C/C++/C#, VB, LabVIEW VIs

PICO

Pico Technology Ltd.

1216

HIGH TEMPERATURE SERIES

文件：314.46 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

1216

STANDARD SERIES

文件：241.69 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

1216

HIGH TEMPERATURE SERIES

文件：275.19 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

1216

Variable RF Inductor

文件：446.53 Kbytes Page：2 Pages

YANTEL

研通高频

FSEZ1216N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FSEZ1216N

  • 功能描述

    MOSFET Primary Side Reg. PWM Integrated Power

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FSEZ1216N供应商更多...

更新时间：2025-12-29 18:13:00
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