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FS75R12KE3GBOSA1	封装/外壳：模块包装：托盘描述：IGBT MOD 1200V 100A 355W 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	Infineon 英飞凌	Infineon
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FP75R12KE3	Elektrische Eigenschaften / Electrical properties 文件：211.76 Kbytes Page：11 Pages	eupec	eupec

FS75R12KE3G产品属性

类型
描述
型号
FS75R12KE3G
功能描述
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装/箱体
34MM

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更新时间：2025-8-16 11:09:00

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2019-4-12
FS6X1220-飞兆功率开关（FPS）
说明该FS6X1220R是专为离线特思数码转换器以最小的外部元件。这设备是一个电流模式PWM控制器，具有高结合在一个封装电压电源值SenseFET。该PWM控制器包括集成固定频率振荡器，行欠压锁定，睡眠/关功能，热关断保护，过电压保护，脉冲的脉冲电流限制和温度补偿精密电流来源一回路补偿。相较于离散MOSFET和PWM控制器解决方案，可以FS6X1220R降低总成本，元件数量，大小和重量，同时提高效率，生产力和系统可靠性。这种器件非常适合于DC至DC转换器输出功率高达40W的应用。特点 •电流模式PWM控制的固定工作频率（3
2013-3-12
FS6S-飞兆功率开关（FPS）
说明飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少外部元件。飞兆半导体的功率开关（FPS）由一个高压电源和电流值SenseFET模式PWM IC。包括功能的PWM控制器集成固定振荡器，欠压锁定，该优化开启/关闭驱动器门打开，热关闭掉电保护，过电压保护，以及温度补偿精密电流源环路补偿和故障保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或碾压开关转换器解决方案，一飞兆功率开关（FPS）可以降低总的元件数量，缩小设计尺寸，并重量，并在同一时间提高效率，生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台适合具有成本效益的显示器的电源供应。
2013-3-12
FS7M0680-飞兆功率开关（FPS）
说明飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计与极少的外部元件离线开关电源。飞兆半导体的功率开关（FPS）由高压功率值SenseFET和电流模式PWM控制器。该PWM控制器包括集成固定振荡器，欠压锁定，前沿消隐块，优化栅极电源开/关闭驱动器，过热关机保护，过电压保护，温度补偿的精密电流源环路补偿和故障保护电路。相比分立MOSFET和PWM控制器，转换器或环形扼流圈（RCC）的解决方案，飞兆功率开关（FPS）可以减少总成本，元件数量，大小和重量，同时提高效率，生产力和系统的可靠性。它有简单的应用程序非常适合用于回扫下来的设计成本转换器或转发器。...
2013-3-11

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