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FS75R12KE3_B3	封装/外壳：模块包装：托盘托盘描述：IGBT MOD 1200V 100A 355W 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

FS75R12KE3_B3产品属性

类型
描述
型号
FS75R12KE3_B3
功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装/箱体
34MM

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更新时间：2024-5-29 14:37:00

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说明飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计与极少的外部元件离线开关电源。飞兆半导体的功率开关（FPS）由高压功率值SenseFET和电流模式PWM控制器。该PWM控制器包括集成固定振荡器，欠压锁定，前沿消隐块，优化栅极电源开/关闭驱动器，过热关机保护，过电压保护，温度补偿的精密电流源环路补偿和故障保护电路。相比分立MOSFET和PWM控制器，转换器或环形扼流圈（RCC）的解决方案，飞兆功率开关（FPS）可以减少总成本，元件数量，大小和重量，同时提高效率，生产力和系统的可靠性。它有简单的应用程序非常适合用于回扫下来的设计成本转换器或转发器。...
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